Zhijue, Quan: шукати на сайті Z-Library

Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Найбільша колекція наукових статей у сіті. 70,000,000+ безкоштовних статей.

Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024

Z-Library - одна з найбільших онлайн-бібліотек у світі, в якій зберігається більше 17,000,000 книг та 84,837,000 статей. Ми намагаємось зробити літературу доступною кожному. Сьогодні (15 вересня 2024) ми відкриваємо додатковий збір пожертвувань на підтримку та розвиток проекту.

Також БЕЗЛІМТНІ завантаження (протягом 31 дня після завершення пожертвування) доступні для ВСІХ користувачів, які підтримають проект в період збору коштів до 1 жовтня 2024.

Про збір коштів Детальніше

Підтримати

Книги
Статті (24)
Найпопулярніші
Перелік
- Перелік
- Таблиця

1

Electroluminescence from the sidewall quantum wells in the V-shaped pits of InGaN light emitting diodes

Wu, Xiaoming, Liu, Junlin, Quan, Zhijue, Xiong, Chuanbing, Zheng, Changda, Zhang, Jianli, Mao, Qinghua, Jiang, Fengyi

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.39 MB

english, 2014

2

Carrier transport via V-shaped pits in InGaN/GaN MQW solar cells

Liu, Shitao, Quan, Zhijue, Wang, Li

Журнал:

Chinese Physics B

Рік:

2017

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.49 MB

english, 2017

3

Effects of thickness ratio of InGaN to GaN in superlattice strain relief layer on the optoelectrical properties of InGaN-based green LEDs grown on Si substrates

Qi, Weijing, Zhang, Jianli, Mo, Chunlan, Wang, Xiaolan, Wu, Xiaoming, Quan, Zhijue, Wang, Guangxu, Pan, Shuan, Fang, Fang, Liu, Junlin, Jiang, Fengyi

Журнал:

Journal of Applied Physics

Рік:

2017

Мова:

english

Файл:

PDF, 3.47 MB

english, 2017

4

Simulation of a-Si:H/c-Si heterojunction solar cells: From planar junction to local junction

Huang, Haibin, Zhou, Lang, Yuan, Jiren, Quan, Zhijue

Журнал:

Chinese Physics B

Рік:

2019

Файл:

PDF, 997 KB

2019

5

Quantum-mechanical effects and gate leakage current of nanoscale n-type FinFETs: A 2d simulation study

Weida Hu, Xiaoshuang Chen, Xuchang Zhou, Zhijue Quan, Lu Wei

Журнал:

Microelectronics Journal

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 451 KB

english, 2006

6

High brightness InGaN-based yellow light-emitting diodes with strain modulation layers grown on Si substrate

Zhang, Jianli, Xiong, Chuanbing, Liu, Junlin, Quan, Zhijue, Wang, Li, Jiang, Fengyi

Журнал:

Applied Physics A: Materials Science & Processing

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.89 MB

english, 2014

7

The effect of silicon doping in the barrier on the electroluminescence of InGaN/GaN multiple quantum well light emitting diodes

Wu, Xiaoming, Liu, Junlin, Xiong, Chuanbing, Zhang, Jianli, Quan, Zhijue, Mao, Qinghua, Jiang, Fengyi

Журнал:

Journal of Applied Physics

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.90 MB

english, 2013

8

[IEEE >2006 Joint 31st International Conference on Infrared Millimeter Waves and 14th International Conference on Teraherz Electronics - Shanghai, China (2006.09.18-2006.09.22)] 2006 Joint 31st International Conference on Infrared Millimeter Waves and 14th International Conference on Teraherz Electronics - An Investigation on Spectral-Characteristic of HgCdTe two-color Detector

Zhenhua, Ye, Zhijue, Quan, Wenhong, Zhou, Xiaoning, Hu, Ruijun, Ding, Li, He

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.14 MB

english, 2006

9

[IEEE 2006 International Conference on Numerical Simulation of Semiconductor Optoelectronic Devices - Nanyang Technological University, Nanyang Executive Centre, Singapore, China (2006.09.11-2006.09.14)] 2006 International Conference on Numerical Simulation of Semiconductor Optoelectronic Devices - The modeling of dark characteristics for long-wavelength HgCdTe photodiode

Quan, Zhijue, Chen, Xiaoshuang, Lu, Wei

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.94 MB

english, 2006

10

Roles of V-shaped pits on the improvement of quantum efficiency in InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes

Quan, Zhijue, Wang, Li, Zheng, Changda, Liu, Junlin, Jiang, Fengyi

Журнал:

Journal of Applied Physics

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.70 MB

english, 2014

11

Effects of p-AlGaN EBL thickness on the performance of InGaN green LEDs with large V-pits

Liu, Xiaohui, Liu, Junlin, Mao, Qinghua, Wu, Xiaoming, Zhang, Jianli, Wang, Guangxu, Quan, Zhijue, Mo, Chunlan, Jiang, Fengyi

Журнал:

Semiconductor Science and Technology

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.13 MB

english, 2016

12

Reduction of the resistivity of Ag/ p -GaN contact by progressive breakdown of the interfacial contamination layer

Wang, Li, Wu, Feifei, Liu, Shitao, Yang, Qi, Zhao, Yong, Han, Daofu, Quan, Zhijue, Jiang, Fengyi

Журнал:

Journal of Applied Physics

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.11 MB

english, 2015

13

Study on the band alignment of GaN/CH 3 NH 3 PbBr 3 heterojunction by x-ray photoelectron spectroscopy

Gong, Jinhui, Liu, Shitao, He, Yuandan, Feng, Xingcan, Xia, Xuefeng, Quan, Zhijue, Wang, Li

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

2017

Мова:

english

Файл:

PDF, 755 KB

english, 2017

14

Effects of the number of wells on the performance of green InGaN/GaN LEDs with V-shape pits grown on Si substrates

Wu, Qingfeng, Zhang, Jianli, Mo, Chunlan, Wang, Xiaolan, Quan, Zhijue, Wu, Xiaoming, Pan, Shuan, Wang, Guangxu, Liu, Junlin, Jiang, Fengyi

Журнал:

Superlattices and Microstructures

Рік:

2017

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.87 MB

english, 2017

15

Performance enhancement of yellow InGaN-based multiple-quantum-well light-emitting diodes grown on Si substrates by optimizing the InGaN/GaN superlattice interlayer

Tao, Xixia, Liu, Junlin, Zhang, Jianli, Mo, Chunlan, Xu, Longquan, Ding, Jie, Wang, Guangxu, Wang, Xiaolan, Wu, Xiaoming, Quan, Zhijue, Pan, Shuan, Fang, Fang, Jiang, Fengyi

Журнал:

Optical Materials Express

Рік:

2018

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.79 MB

english, 2018

16

The effect of nanometre-scale V-pits on electronic and optical properties and efficiency droop of GaN-based green light-emitting diodes

Zhou, Shengjun, Liu, Xingtong, Yan, Han, Gao, Yilin, Xu, Haohao, Zhao, Jie, Quan, Zhijue, Gui, Chengqun, Liu, Sheng

Журнал:

Scientific Reports

Рік:

2018

Мова:

english

Файл:

PDF, 3.67 MB

english, 2018

17

Low temperature growth of polycrystalline InN films on non-crystalline substrates by plasma-enhanced atomic layer deposition

Peng, Hong, Feng, Xingcan, Gong, Jinhui, Wang, Wei, Liu, Hu, Quan, Zhijue, Pan, Shuan, Wang, Li

Журнал:

Applied Surface Science

Рік:

2018

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.07 MB

english, 2018

18

Interface modification of two-step grown InGaN/GaN superlattices preparing layers for InGaN-based green LED on silicon substrate

Jiang, Xingan, Zheng, Changda, Mo, Chunlan, Wang, Xiaolan, Zhang, Jianli, Quan, Zhijue, Liu, Junlin, Jiang, Fengyi

Журнал:

Superlattices and Microstructures

Рік:

2018

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.25 MB

english, 2018

19

Epitaxial growth of InN thin films by plasma-enhanced atomic layer deposition

Feng, Xingcan, Peng, Hong, Gong, Jinhui, Wang, Wei, Liu, Hu, Quan, Zhijue, Pan, Shuan, Wang, Li

Журнал:

Journal of Applied Physics

Рік:

2018

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.67 MB

english, 2018

20

Study on the performance of InGaN-based green LED by designing different preparing layers

Jiang, Xingan, Zheng, Changda, Mo, Chunlan, Wang, Xiaolan, Zhang, Jianli, Quan, Zhijue, Liu, Junlin, Jiang, Fengyi

Журнал:

Optical Materials

Рік:

2019

Файл:

PDF, 3.08 MB

2019

21

Study on the performance of InGaN-based green LED by designing different preparing layers

Jiang, Xingan, Zheng, Changda, Mo, Chunlan, Wang, Xiaolan, Zhang, Jianli, Quan, Zhijue, Liu, Junlin, Jiang, Fengyi

Журнал:

Optical Materials

Рік:

2019

Мова:

english

Файл:

PDF, 3.08 MB

english, 2019

22

Association of increased B7 protein expression by infiltrating immune cells with progression of gastric carcinogenesis

Guo, Lingchuan, Liu, Zhiju, Zhang, Yun, Quan, Qiuying, Huang, Lili, Xu, Yunyun, Cao, Lei, Zhang, Xueguang

Журнал:

Рік:

2019

Файл:

PDF, 783 KB

2019

23

Enhance the efficiency of green-yellow LED by optimizing the growth condition of preparation layer

Yang, Xudong, Zhang, Jianli, Wang, Xiaolan, Zheng, Changda, Quan, Zhijue, Jiang, Fengyi

Журнал:

Superlattices and Microstructures

Рік:

2020

Мова:

english

Файл:

PDF, 4.86 MB

english, 2020

24

Effect of Horizontal p-n Junction on Optoelectronics Characteristics in InGaN-Based Light-Emitting Diodes with V-shaped Pits

Gao, Jiang-Dong, Zhang, Jianli, Quan, Zhijue, Pan, Shuan, Liu, Jun-Lin, jiang, fengyi

Журнал:

Journal of Physics D Applied Physics

Рік:

2020

Файл:

PDF, 456 KB

2020